武汉阳方新材料有限公司
Wuhan Yangfang New Material Co., Ltd.

★  处理历史上遗弃化学爆炸物和化学物质。
★  全密封PE溶解室，利用稀硫酸溶解弹壳和引信，泵循环。尾气进入流化床（内置石灰粉）。
★  铬刚玉流化床焚烧炉，炉膛温度1400℃，炉膛尾气+石灰粉假密度2.3～3.0kg/m3.
★  连续石灰乳中和硫酸混合物，负压进入转窑焚烧，尾气进入流化床焚烧炉。
★  带二级旋风分离器，带降尘室。
★  不设废锅，不设袋式除尘。
★  二级离心螺旋式石灰乳喷淋塔。
★  双机组引风系统，带自备发电机。
★  OC≤3ppm排放。
★  PLC系统，在线检测、监控。

武汉阳方新材料有限公司开发出活性氧化钛蜂窝催化剂

理论基础：活性TiO2是一种典型的n型半导体材料，TiO2晶体的（001）晶面因其具有100%未饱和5配位Ti原子而被普遍认为是高能活性晶面，并且已被实验所证明。
      2004年，武汉阳方新材料有限公司成功开发出半导体氧化钛催化剂，作为高活性、耐高温载体现在已被石化催化剂行业广泛采用。
      半导体氧化钛活性几乎不受温度影响，正在被应用到环保高温氧化方面，取得了非常好的效果。

2.2.1氮氧化物讨论
      在半导体氧化钛催化剂表面，氮氧化物NOx和有机可燃物（简单表示：CHO）形成电极常数远高于氧气O2和有机可燃物CHO形成电极常数（大小和氧化程度是因次方关系）：
ENOx/CHO（3.2V＃）＞＞EO2/CHO（1.6V）
（＃武汉阳方新材料有限公司公司实验室对照相对数据，不是绝对数据！）
      即在半导体氧化钛表面氮氧化物NOx（ClO2也是）氧化性远大于氧气O2，氮氧化物NOx优先于氧气O2和危废中有机物反应，自身被还原成氮气。这就是本系统氮氧化物NOx含量极低原因。
      本系统不需要再另上附加脱硝装置（脱硝装置内催化剂为普通氧化钛+氧化钼）和脱硫装置。但是为了避免环评争议，本系统还是内置饱和尿素脱硝装置。

2.2.2脱硫讨论
      在半导体氧化钛催化剂表面，二氧化硫SO2被彻底氧化成SO3，再被喷淋塔内石灰乳中和成硫酸钙（不可逆反应），达到彻底脱硫目的！
      普通焚烧炉脱硫是利用硫被氧化成二氧化硫，再被氧化钙（碳酸钙）中和成亚硫酸钙（可逆反应），由于平衡系数关系，一次只能脱出82%硫，需要再另上脱硫系统。
      尾气中含硫，不影响催化剂活性。

2.2.3VOC氧化率
      在催化剂表面，VOC（有机物和一氧化碳）被彻底氧化，达到非常低的水平，一般为0-15mg/m³。人为控制（降低温度）VOC大小（在30mg/m³），以抑制氮氧化物生成。